"Powierzchnie i układy cienkowarstwowe na 6H-SiC(0001), GaN(0001)" - dr Miłosz Grodzicki Czwartek 8 styczeń 2015, godz. 15:00, sala G-019 Instytutu Fizyki UJ [Łojasiewicza 11, Nowy Kampus]
Powierzchnie i układy cienkowarstwowe na 6H-SiC(0001), GaN(0001)
dr Miłosz Grodzicki
Czwartek 8 styczeń 2015, godz. 15:00,
sala G-019 Instytutu Fizyki UJ [Łojasiewicza 11, Nowy Kampus]
Streszczenie:
Węglik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN) to półprzewodniki, z szeroką przerwą energetyczną, doskonale nadające się do budowy urządzeń elektronicznych dużej mocy, mogących pracować z wysoką częstotliwością oraz w wysokich temperaturach. Materiały te są przedmiotem ogromnego zainteresowania zarówno naukowców, jak i technologów. W trakcie referatu zostaną omówione fizyko-chemiczne właściwości powierzchni półprzewodników 6H-SiC(0001) oraz GaN(0001), sposoby ich przygotowywania i modyfikowania. Zaprezentowane będą również badania dotyczące tworzenia złączy metal/półprzewodnik (m.in. Cr/SiC, Pd/GaN). Zostaną pokazane zmiany morfologii wytworzonych układów cienkowarstwowych spowodowane wygrzewaniem. Prezentowane wyniki doświadczalne otrzymano technikami powierzchniowymi (STM, AFM, LEED, XPS, UPS).